Característica Intensidad-Voltaje en el contacto metal - semiconductor superconductor

RESUMEN En el presente trabajo, se ha realizado un estudio del comportamiento Voltaje - Corriente de las uniones metal - semiconductor en el estado superconductor. Se obtuvo la densidad de corriente total, J, en el punto de contacto Metal semiconductor superconductor, teniendo en cuenta la cantidad de electrones que atraviesa la barrera de potencial que se encuentra dentro de ciertos intervalos de energía. Los cálculos se hicieron en el contexto de la aproximación de la teoría de Schockley. Se utilizó la estadística de Fermi-Dirac a muy bajas temperaturas para la distribución y transporte de electrones y huecos a través de la unión metal - semiconductor. Para el cálculo de la densidad de portadores de carga (electrones y huecos), además de la ley de distribución de Fermi-Dirac, se aplicó la densidad de estados de los electrones y huecos. En el estado superconductor la densidad de estados incluye una brecha de energía superconductora de la teoría BCS de la superconductividad. Se relacionan Intensidad - Voltaje para el contacto metal - semiconductor superconductor considerando la corriente de emisión termoelectrónica. Se demostró que la transición del semiconductor al estado superconductor, conduce a la disminución de la corriente a través del contacto en el intervalo de Tensión, que se determina con la altura de la barrera de potencial y el parámetro de la brecha energética del superconductor.
[Trujillo: 2020]

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